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09 05,2024 光刻机是什么？光刻机简介
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- 来源: 全球半导体观察
- 日期: 2024-09-05
定义：一种制造芯片的关键设备，利用特定波长的光进行辐射，将掩膜版上特定的图像精准的印刻在硅片上。
特点
光刻机根据自动化程度主要分为手动、半自动、自动。光刻机主要组成部分有光源系统、掩膜版固定系统、样品台和控制系统。其中光源系统是光刻的核心之一，主要是来自汞灯或激光，早期的光刻机主要使用汞灯，功率从最开始的1KW上升到5Kw，后来为了提高分辨率而采用激光作为光源，如今光刻机用到的激光功率已经可以达到60Kw级别。
常见的光源产生的波长主要有以下几种；
g线——436nm
h线——405nm
i线——365nm
KrF（DUV）——248nm
ArF——193nm
极紫外光（EUV）——10~15nm
性能指标
光刻机的性能指标主要有分辨率、套刻精度、光源波长、光强均匀等。
光刻流程
气相成底膜、旋转涂胶、软烘、对准和曝光、曝光后烘焙、显影、坚膜烘焙、显影检查。
目前光刻机主要掌握在少数几家企业中，其中荷兰的ASML是全球最大的光刻机企业，也是全球最先进的光刻机企业，其次日本的尼康、佳能、中国的上海微电子装备。
特点
光刻机根据自动化程度主要分为手动、半自动、自动。光刻机主要组成部分有光源系统、掩膜版固定系统、样品台和控制系统。其中光源系统是光刻的核心之一，主要是来自汞灯或激光，早期的光刻机主要使用汞灯，功率从最开始的1KW上升到5Kw，后来为了提高分辨率而采用激光作为光源，如今光刻机用到的激光功率已经可以达到60Kw级别。
常见的光源产生的波长主要有以下几种；
g线——436nm
h线——405nm
i线——365nm
KrF（DUV）——248nm
ArF——193nm
极紫外光（EUV）——10~15nm
性能指标
光刻机的性能指标主要有分辨率、套刻精度、光源波长、光强均匀等。
光刻流程
气相成底膜、旋转涂胶、软烘、对准和曝光、曝光后烘焙、显影、坚膜烘焙、显影检查。
目前光刻机主要掌握在少数几家企业中，其中荷兰的ASML是全球最大的光刻机企业，也是全球最先进的光刻机企业，其次日本的尼康、佳能、中国的上海微电子装备。
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